이재용 삼성전자 회장이 올해 첫 해외 현장 경영에서 '투자 확대'를 강조한 가운데, 올해 삼성전자가 반도체 시설 및 연구개발(R&D) 등에 역대급 투자를 단행할 지 주목된다.

13일 업계에 따르면 이재용 회장은 설 연휴 기간 말레이시아 스름반을 찾아 삼성SDI의 배터리 1공장 및 2공장 건설 현장을 점검했다.

이 회장은 이 방문에서 "어렵다고 위축되지 말고 담대하게 투자해야 한다. 단기 실적에 일희일비하지 말자"며 투자 확대  의지를 내비쳤다. 당장 눈앞의 실적 악화와 상관 없이 시설과 R&D 투자를 오히려 키우겠다는 의도다.

이 회장은 올해 첫 행보로 삼성리서치에서 차세대 통신기술 트렌드를 논의하고 선제적 투자와 R&D 확대를 통한 기술 선점을 당부하는 등 그룹의 전방위적 투자 확대에 힘을 쏟고 있다.

이 같은 이 회장의 의지에 따라, 삼성전자가 반도체를 중심으로 올해 역대 최대 규모의 투자에 나설 지 관심이 쏠린다.

삼성전자가 지난해 53조1000억원을 투입, 역대급 시설투자 규모를 이어간 상황에서 반도체 업황 반등에 따라 올해 이 금액을 넘어설 가능성이 제기된다.

삼성전자는 지난해 연간 반도체(DS) 부문에 48조4000억원, 디스플레이 부문에 2조4000억원 등의 시설투자를 집행했다. R&D에서도 연간 28조3400억원을 투입해 기존 최대였던 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 이는 영업이익 6조5700억원의 4배가 넘는다.

삼성전자의 반도체 부문은 지난해 14조8700억원의 적자를 냈지만, 되레 시설과 R&D를에 대한 투자는 키우고 있는 것이다.

특히 올해 고대역폭메모리(HBM) 및 DDR5 등 차세대 메모리 분야에서 SK하이닉스와 치열한 경쟁을 앞두고 있는 만큼, 관련 투자를 예정보다 늘릴 지 주목된다.

삼성전자는 지난해 4분기 클린룸 확보를 위한 평택 투자를 비롯, HBM과 DDR5 등 첨단 공정 생산 능력 확대를 위한 투자를 단행했다. 최근 AI 시장 확장으로 HBM 등 고성능 반도체에 대한 수요가 커지고 있기 때문이다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "지난해 HBM의 시설투자를 2.5배 이상 늘렸는데 올해도 그 정도 수준을 예상하고 있다"고 밝혔다.

이 회장의 투자 의지와 함께 최근 사법리스크가 일부 해소되면서 삼성전자가 당초 예정된 규모보다 반도체 시설 및 R&D 투자를 더 늘릴 여지가 있다.

최근 오픈AI의 샘 올트먼 최고경영자(CEO)가 인공지능(AI) 반도체 제조를 위해 최대 7조 달러(약 9300억원) 자금 조달을 추진하고 있는 점도 삼성전자의 차세대 메모리 투자 심리를 자극할 것으로 보인다.

업계 관계자는 "AI 산업 개화로 차세대 반도체를 중심으로 한 대규모 투자가 필요한 시점"이라며 "특히 HBM의 경우, 올해 삼성이 대규모 투자로 SK하이닉스를 완벽히 추월할 수 있는 시기다"고 말했다.

[서울=뉴시스]이지용 기자 

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